Комбинированный прибор MOSFET транзистор + диод Шоттки - в одном корпусе

Наименование	Тип корпуса	Полярность	Uсток-исток	Сопр. в откр. сост. (Rds(on)), макс., при Vgs=10В	Rds(on) макс., при Vgs=4.5V	Rds(on) макс., при Vgs=2.5V	Суммарный заряд затвора, Qg	Прямой ток диода	Падение напряжения на диоде	Pрасс.
FDC6392S         20В Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	SSOT-6	P	20 В		0,15 Ом	0,2 Ом	3,7	1 А	0,45 В	0,96 Вт
FDFC3N108 20В N-Channel 1,8V Specified PowerTrench® MOSFET Втith Schottky Diode	SSOT-6	N	20 В		0,07 Ом	0,095 Ом	3,5	2 А	0,449 В	0,96 Вт
FDFM2N111 20В Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	MLP 3x3 6L	N	20 В		0,1 Ом	0,015 Ом	2,7	0,39 A	1 В	1,7 Вт
FDFM2P110 -20В Integrated P-Channel PowerTrenc® MOSFET and Schottky Diode	MLP 3x3 6L	P	20 В		0,14 Ом	0,2 Ом	3	1 А	0,39 В	2,4 Вт
FDFMA2P853 -20В Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	MicroFET	P	20 В		0,12 Ом		4			1,4 Вт
FDFMA3N109 30В Integrated N-Channel PowerTrench®MOSFET and Schottky Diode	MicroFET	N	30 В		0,123 Ом	0,163 Ом	2,4	1 А	0,5 В	1,5 Вт
FDFMC2P120 -20В Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	MLP 3x3 6L	P	20 В		0,125 Ом	0,2 Ом	3	1 А	0,32 В	2,4 Вт
FDFS2P102 Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode	SO-8	P	20 В	0,125 Ом	0,2 Ом		7	2 А	0,58 В	2 Вт
FDFS2P102A Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	SO-8	P	20 В	0,125 Ом	0,2 Ом		2,1	2 А	0,58 В	2 Вт
FDFS2P103 Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	SO-8	P	30 В	0,059 Ом	0,092 Ом		5,3	1 А	0,57 В	2 Вт
FDFS2P103A Integrated P-Channel Power Trench® MOSFET and Schottky Diode	SO-8	P	30 В	0,059 Ом	0,092 Ом		5,7	0,25 A	0,35 В	2 Вт
FDFS2P106A Integrated 60В P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	SO-8	P	60 В	0,11 Ом	0,14 Ом		15	2 А	0,58 В	2 Вт
FDFS6N303 30В N-Channel MOSFET Втith Schottky Diode	SO-8	N	30 В	0,035 Ом	0,055 Ом		12	3 А	0,42 В	2 Вт
FDFS6N754 30В Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode	SO-8	N	30 В	0,056 Ом	0,075 Ом		4		0,28 В	2 Вт
FDW6923 P-Channel 2,5V Specified PowerTrench® MOSFET Втith Schottky Diode	TSSOP-8	P	20 В		0,045 Ом	0,075 Ом	9,7	2 А	0,5 В	1,2 Вт